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FT-300TZ两探针电阻率测试仪

 

FT-300TZ两探针电阻率测试仪
功能描Functional description

适用于半导体材料企业、科研、高等院校实验室分析半导体材料纵向电阻率可测量横截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率,试样长度与截面尺寸之比应不小3:1配置测量平台自动/负电流输出,自动/负电压测量液晶显示,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,可选购PC软件实时数据和报表管理;提供中/英文版本.

参考标准Reference standards

GB/T 1551-2021硅单晶电阻率的测 直排四探针法和直流两探针法

SEMI MF 397-1106<<硅棒电阻率测定两探针>>

参数资料Technical data

1.电阻率10^-72×10^7Ω-cm

2. 10^-72×10^7Ω

3.电导率:5×10^-810^7 S/cm

4.分辨率 0.1μΩ        测量误±0.05%±5字)

5.测量电压量程 2mV  20mV  200mV 2V 测量精±0.1%读数)

6.分辨率  0.1uV 1uV 10uV 100uV

7.电流输出:直流电 01000mA 可调.

8.显示方式:液晶显示:电阻值、电阻率、电导率值、温度、单位自动换算、横截面、高度、电流、电压.

9.温度要求23±1

10.电源220±10% 50HZ/60HZ

11. 测量平台参数如下:

1.可测硅芯、检验棒尺寸:直4~22 (其他规格可定制)

2.探针头探针与试样接触位置重复,无横向移动。

3.两探针测试探针。探头间1.59mm(其他规格可定制);探针机械游率±0.2%

4.探针直0.8探针压力总6-12N,探针材料:钨

5.探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大109

12.标配外选购项a.pc1b.标准电1c.电脑和打印机

 

 

 

 

 

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